新一代非易挥发存储器
——FlashMemory
——温志斌
“FLASHMEMORY”， 译 成 中 文 是 “闪 速 存 储 器”， 又 称 “快 擦 写 存 储 器” ， 是 近 年 来 才 研 制 和 生 产 出 来 的 新 一 代 非 易 挥 发 性 指 只 读 存 储 器。 众 所 周 知， 在 各 种 微 机 控 制 系 统 中， 都 需 要 各 种 半 导 体 储 存 器， 如 用ROM 存 放 程 序，RAM 来 暂 存 中 间 数 据， 然 而， 在 现 代 工 业 设 计 中， 又 越 来 越 多 地 会 遇 到 下 面 的 情 况 ∶ 一 是 要 求 系 统 的 程 序 和 常 数 能 够 随 工 作 环 境 和 系 统 特 性 的 改 变 而 随 时 修 改， 以 实 现 产 品 的 智 能 化； 二 是 掉 电 后 能 够 保 护 现场 数 据， 希 望 有 一 种 与 普 通 RAM 一 样 能 快 速 读 写， 而 掉 电 后 又 不 挥 发 的 存 储 器 件。 基 于 以 上 两 种 原 因， 现 代 微 机 系 统 中， 大 量 需 要 一 种 能 多 次 编 程、 擦 写 快 捷 简 便、容 量 大、 外 围 器 件 最 少， 同 时 又 价 格 低 廉 的 非 易 挥 发 存 储 器 件 ， “FLASHMEMORY” 正 是 应 这 一 需 要 发 展 起 来 的。 因 此， 从 功 能 上 看， “FLASHMEMORY” 也 即 我 们 日 常 所 说 的 “EEPROM”， 它 可 以 说 是 最 新 一 代 的 “EEPROM” ， 就 其 优 越 的 性 能 来 说， 笔 者 认 为， “FLASH” 一 词 较 “ELECTRICAL， ERASABLE” 更 能 反 映 该 种 器 件 性 能 的 特 点。 随 着 市场 对 “FLASHMEMORY” 需 求 的 不 断 扩 大， 各 大 半 导 体 厂 商 正 不 断 推 出 功 能 更 强、 容 量 更 大 的 “FLASHMEMORY” 产 品，基 数 也 日 趣 成 熟。 下 面， 就 以 美 国 ATMEL 的 “FLASH” 产 品 为 例， 介 绍 一 下 新 一 代 闪 述 存 储 器 的 特 点 及 其 功 能 ∶
一.低电压在线编程，使用方便，可多次擦写
现 代 的 “FLASH” 存 储 器 都 只 使 用 5V 或 3V 单 电 源 供 电， 而 编 程 时 所 需 的 高 压 及 时 序 均 由 片 内 的 编 程 电 路 自 动 产 生， 外 围 电 路 少， 编 程 就 象 装 载 普 通 RAM 一 样 简 单， 而 高 压 编 程 电 流 也 只 有 几 个 纳 安， 因 此 非 常 适 合 于 应 用 系 统 中(尤 其 在 低 电 压 系 统 中)进 行 在 线 编 程 和 修 改， 在 智 能 化 的 工 业 控 制 和 家 电 产 品 等 方 面 都 得 到 了 很 广 泛 的 应 用。 其 可 重 复 擦 写 寿 命， 也 都 在 1000 次 以 上， 能 够 满 足 许 多场 合 的 需 要。
二.小扇区编程,灵活，速度快。
ATMEL 的 “FLASH” 产 品， 都 以 小 扇 区 为 单 位 进 行 编 程(几 十 个 字 节~几 百 个 字 节 为 一 个 扇 区)， 程 序 的 修 改 可 以 逐 扇 区 单 独 进 行， 而 不 需 要 进 行 整 片 的 “预 擦 除”， 系 统 也 无 需 开 辟 大 容 量 的 缓 冲 区 以 存 放 不 需 修 改 的 其 他 扇 区 的 内 容， 使 程 序 修 改 方 便， 灵 活。ATMEL 的 “FLASH” 产 品 每 扇 区 的 编 程 时 间 只 有 10MS (3V 产 品 为 20MS)。 所 以， 编 程 整 块 芯 片， 也 可 以 在 几 秒 钟 内 完 成， 编 程 速 度 快。 如 果 仅 是 对 部 分 扇 区 进 行 修 改， 那 速 度 就 更 快 了， 而 不 象 过 去 的 芯 片 那 样， 需 用 几 分 钟 的 时 间 进 行 整 片 的 擦 除 和 再 编 程。
(续后)
