关于举行中国工程物理研究院北京计算科学研究中心黄兵研究员学术报告会的通知

发布时间:2020-12-21设置

报告题目:半导体中的缺陷和杂质调控:从平衡态到非平衡态

报 告 人:黄兵 研究员(中国工程物理研究院北京计算科学研究中心)

主 持 人:赵宇军 教授

报告时间20201229日(星期二)10:00

报告地点:物理楼(18号楼)二楼213室学术报告厅

欢迎广大师生参加!

  

  

物理与光电学院

20201221

  

内容摘要:

半导体物理的一个核心研究方向就是半导体中的缺陷和杂质调控,这关系到半导体的基础物理性质和实际应用前景。在本报告中,阐述该课题组在这个领域在过去几年所做的一些工作。在平衡态下,提出了一系列完整的理论或者方案来提高杂质的溶解

度、在宽禁带半导体中实现浅掺杂、调控杂质的电子能级位置。最近,进一步将平衡态下的缺陷理论拓展到非平衡态下,研究了如表面复杂缺陷重构的形成动力学过程,辐照和离子注入状态下的缺陷动力学演化机制。

  

报告人简介:

黄兵,中国工程物理研究院北京计算科学研究中心研究员,2005年本科毕业于吉林大学,2010年博士毕业于清华大学物理系。2010—2015年在美国再生能源国家实验室、橡树林国家实验室和犹他大学任博士后、研究助理或者研究助理教授。 2015年起在北京计算科学研究中心任特聘研究员和研究员。主要研究领域为半导体物理和计算凝聚态物理,集中在半导体中的缺陷理论发展和半导体中的新奇量子效应,发表论文 80余篇,总引用大于 4000次。


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